[发明专利]柔性阵列基板结构及其制造方法有效
申请号: | 201610058476.X | 申请日: | 2016-01-28 |
公开(公告)号: | CN105529337B | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 徐洪远 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种柔性阵列基板结构及其制造方法,其是通过以其中的彩膜层的开口中的内侧壁充当岸堤(Bank)的作用,使有机半导体层完成图案化,以致节省一道光罩;并且,通过改进后的器件结构,使整个器件制程得到简化,以致本发明的柔性阵列基板结构只需要四次光罩即可完成制作。 | ||
搜索关键词: | 柔性 阵列 板结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种柔性彩膜整合晶体管阵列基板结构,其特征在于,包括:一基板,包括一源电极区、一漏电极区、一共电极区和一位于所述源电极区与所述漏电极区之间的沟道区;一源电极层,设置在所述基板的源电极区上;一漏电极层,设置在所述基板的漏电极区上;一共电极层,设置在所述基板的共电极区上;一彩膜层,覆盖所述源电极层、所述漏电极层和所述共电极层,所述彩膜层具有一过孔和一暴露所述基板的沟道区的开口;以及一第一透明导电层,设置在所述彩膜层上,所述第一透明导电层通过所述过孔与所述漏电极层电性连接,其中所述开口中具有一有机半导体层、一有机绝缘层、一第二透明导电层和一栅电极层,所述有机半导体层是设置在所述基板的沟道区上且接触所述源电极层和所述漏电极层,所述有机绝缘层是设置在所述有机半导体层上,所述第二透明导电层是设置在所述有机绝缘层上,所述栅电极层是设置在所述第二透明导电层上;及其中所述彩膜层和所述有机半导体层的表面具有通过进行表面处理的疏水性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的