[发明专利]一种提高ZnON薄膜迁移率和稳定性的方法在审
| 申请号： | 201610059148.1 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105525268A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 叶建东;程丽娜;朱顺明;汤琨;任芳芳;顾书林;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/58 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种提高ZnON薄膜迁移率和稳定性的方法，包括以下步骤：采用三明治结构的ZnON薄膜，三明治结构基底上的夹层为富氮ZnON薄膜，夹层上部的覆盖层为富氧ZnON薄膜，采用反应射频磁控溅射制备三明治结构的ZnON薄膜，以纯度为99.999％的锌靶为溅射靶材，生长ZnON薄膜前对高纯锌靶材利用氩离子束预溅射5-15分钟；通过两步反应射频磁控溅射生长的方法，第一步生长制备的非晶富氮ZnON薄膜；第二步制备富氧ZnON多晶薄膜；减小了薄膜体内和晶界缺陷密度，从而得到具有高迁移率、高稳定性的ZnON薄膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 znon 薄膜 迁移率 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高ZnON薄膜迁移率和稳定性的方法，其特征在于，包括以下步骤：采用三明治结构的ZnON薄膜，三明治结构基底上的夹层为富氮ZnON薄膜，夹层上部的覆盖层为富氧ZnON薄膜，采用反应射频磁控溅射制备三明治结构的ZnON薄膜(异质结)，以纯度为99.999％的锌靶为溅射靶材，以氩气、氮气、氧气的混合气体为溅射气体，生长ZnON薄膜前溅射室的背景真空度小于2×10‑7Torr，以排净溅射室中的空气，射频功率为120‑300W，衬底温度为室温至100℃，生长ZnON薄膜前对高纯锌靶材利用氩离子束预溅射5‑15分钟；通过两步反应射频磁控溅射生长的方法，第一步：氩气、氮气、氧气的流量分别为20sccm、100sccm、0.8‑5sccm，薄膜厚度为20‑150纳米，第一步生长得到一层富氮的ZnON薄膜；第二步：氩气、氮气、氧气的流量分别为20sccm、100sccm、8‑20sccm，第二步生长得到一层富氧的ZnON薄膜，薄膜层厚为5‑30纳米。
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