[发明专利]平板电容与闪速存储器和/或高k金属栅极CMOS的集成技术

摘要

本发明的一些实施例涉及布置在半导体衬底上的集成电路(IC)，该半导体衬底包括闪存区域、电容器区域和逻辑区域。电容器区域的上部衬底表面分别相对于闪存区域和逻辑区域的相应的上部衬底表面凹进。包括多晶硅底部电极、布置在多晶硅底部电极上方的导电顶部电极以及使底部电极和顶部电极分离的电容器电介质的电容器设置在电容器区域的凹进的上部衬底表面上方。闪速存储器单元设置在闪存区域的上部衬底表面上方。闪速存储器单元包括选择栅极，该选择栅极具有与电容器的顶部电极的平坦化的上表面共面的平坦化的上表面。本发明实施例涉及平板电容与闪速存储器和/或高k金属栅极CMOS的集成技术。

主权项

一种集成电路(IC)，包括：半导体衬底，包括闪存区域、电容器区域和逻辑区域，其中，所述电容器区域的上部衬底表面分别相对于所述闪存区域和所述逻辑区域的相应的上部衬底表面凹进；电容器，设置在所述电容器区域的凹进的上部衬底表面上方，所述电容器包括：多晶硅底部电极、布置在所述多晶硅底部电极上方的导电顶部电极以及使所述底部电极和所述顶部电极分离的第一电容器电介质；以及闪速存储器单元，设置在所述闪存区域的上部衬底表面上方，所述闪速存储器单元包括选择栅极，所述选择栅极具有与所述电容器的顶部电极的平坦化的上表面共面的平坦化的上表面。