[发明专利]碳纳米管分子内p-n结二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610060895.7 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105529401A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 陈长鑫;刘晓东 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理;王锡麟 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种碳纳米管分子内p-n结二极管及其制备方法，通过在定位于基片上的碳纳米管的两端采用电子束光刻和磁控溅射方式制作金属电极，然后通过旋涂光刻胶并选择性曝光后对单根碳纳米管的左右两部分分别进行p型掺杂和n型掺杂，从而制备得到单根碳纳米管分子内p-n结二极管。本发明采用化学掺杂的方法，制备得到的器件具有优良的整流特性，在室温空气中性能稳定，并通过施加不同栅压和改变掺杂参数，可以自由实现对二极管性能进行调控。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 分子 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管分子内p‑n结二极管的制备方法，其特征在于，通过在定位于基片上的碳纳米管的两端采用电子束光刻和磁控溅射方式制作金属电极，然后通过旋涂光刻胶并选择性曝光后对单根碳纳米管的左右两部分分别进行p型掺杂和n型掺杂，从而制备得到单根碳纳米管分子内p‑n结二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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