[发明专利]一种刻蚀微米硅通孔的方法有效
| 申请号： | 201610061318.X | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105668509B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 夏江 | 申请（专利权）人： | 华东医药（杭州）基因科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人： | 沈自军 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀微米硅通孔的方法，包括以下步骤(1)取硅片，清洗后吹干；(2)在硅片双面涂覆光刻胶，烘干后进行光刻，显影；(3)在经光刻的硅片双面沉积若干层贵金属；(4)将沉积贵金属的硅片置于腐蚀液中，反应形成通孔；(5)清洗，吹干。本发明采用双面光刻，刻蚀过程也是双面进行，当两面刻蚀到一起后，形成硅通孔，刻蚀速度快，刻蚀后无需进一步处理，微观形貌良好，可大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 微米 硅通孔 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀微米硅通孔的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)取硅片，清洗后吹干；(2)在硅片双面涂覆光刻胶，烘干后进行光刻，显影；(3)在经光刻的硅片双面沉积若干层贵金属；(4)将沉积贵金属的硅片置于腐蚀液中，反应形成通孔；(5)清洗，吹干，所述的硅片为单晶硅，厚度为100～300μm，所述的单晶硅为n型硅片或p型硅片，步骤(3)中，先沉积一层银，再沉积一层金；银层厚度为3～10nm，金层厚度为5～20nm，所述腐蚀液配置方法为：配置浓度为4.0～8.0mol/L的氢氟酸溶液和浓度为0.3～0.7mol/L的过氧化氢溶液，两者再以体积比10∶1混合，硅片在腐蚀液中反应时间为1～10h。
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