[发明专利]一种紫外有机发光器件及其制备方法在审
申请号: | 201610063484.3 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN105552243A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 张小文;莫炳杰;许积文;王华 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 广州市一新专利商标事务所有限公司 44220 | 代理人: | 滕杰锋 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种紫外有机发光器件及其制备方法。所述紫外有机发光器件包括电子注入层是厚度为1.5-6nm的LiF;所述制备方法包括:将衬底和阳极装入多源有机蒸镀室中,在真空度优于5×10-4Pa的条件下采用热蒸镀工艺在ITO阳极层上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及厚度为1.5-6nm的LiF电子注入层。本发明利用厚绝缘层作为电子注入层,通过减少电子的注入,提高发光层中电子-空穴的平衡性,因而在达到同等数量的电子-空穴对数目时只需要更低的电流密度,增加了电子与空穴在发光层中复合的概率,产生高效率的近紫外光发射,提高了紫外OLED器件的发光效率和辐照度。 | ||
搜索关键词: | 一种 紫外 有机 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种紫外有机发光器件,包括电子注入层,其特征在于:所述电子注入层为厚度是1.5nm‑6nm的LiF。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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