[发明专利]一种四元硫属化合物半导体材料及其制备方法和用途

摘要

本发明公开了一种四元硫属化合物半导体材料及其制备方法和用途。以碱金属氢氧化合物、金属银、二元固溶体As₂S₃和单质S为原料，聚乙二醇和水合肼及乙二胺为溶剂，在120-140℃烘箱中反应5-8天，得到四元硫属化合物半导体材料。化学组成式为：NaAg₂AsS₃·H₂O和KAg₂AsS₃，本发明具有合成产率高，操作过程简单，原料简单且成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫属化合物，NaAg₂AsS₃·H₂O和KAg₂AsS₃产率达80％以上，化学纯度高，可用于制备光学半导体器件材料。

主权项

一种四元硫属化合物半导体材料，其特征在于，其化学组成式为：NaAg₂AsS₃·H₂O,属于三斜晶系，P‑1空间群，晶胞参数α＝74.909(10)°，β＝82.608(10)°，γ＝62.967(12)°，Z＝2，Dc＝5.531g/cm3，单晶体为黄绿色片状，能隙为2.18eV。