[发明专利]用于ESD保护的PLDMOS有效
| 申请号： | 201610064013.4 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105529364B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 邓樟鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于ESD保护的PLDMOS，包括：P型外延层，沟道区，漂移区；漂移区包括P阱；在P阱和沟道区之间的所述P型外延层表面形成有第一局部场氧化层，第一局部场氧化层的第一侧边缘和P阱对准；在沟道区的表面上形成有由栅介质层和多晶硅栅；源区由形成于沟道区表面；漏区形成于P阱表面且和第一局部场氧化层的第一侧边缘对准接触；漂移区还包括形成于P阱表面的第二P型区，第二P型区的掺杂浓度小于漏区的掺杂浓度，第二P型区将漏区完全包围且横向延伸到所述第一局部场氧化层的第一侧边缘的鸟嘴结构的正下方。本发明能提高所述PLDMOS的抗ESD的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 esd 保护 pldmos | ||
【主权项】：
1.一种用于ESD保护的PLDMOS，其特征在于，包括：P型外延层；沟道区，由形成于所述P型外延层中的N阱组成；漂移区，所述漂移区的组成部分包括形成于所述P型外延层中的P阱；所述P阱和所述沟道区之间具有横向距离，且在所述P阱和所述沟道区之间的所述P型外延层表面形成有第一局部场氧化层，所述第一局部场氧化层的第一侧边缘和所述P阱对准，所述第一局部场氧化层的第二侧边缘和所述沟道区之间具有横向距离；在所述沟道区的表面上形成有由栅介质层和多晶硅栅，所述多晶硅栅的第一侧还横向延伸到所述第一局部场氧化层的表面上；源区，由形成于所述沟道区表面中P+区组成，所述源区和所述多晶硅栅的第二侧自对准；漏区，由形成于所述P阱表面中的P+区组成，所述漏区和所述第一局部场氧化层的第一侧边缘对准接触；所述漂移区的组成部分还包括形成于所述P阱表面的第二P型区，所述第二P型区的深度小于所述P阱的深度；所述第二P型区的掺杂浓度小于所述漏区的掺杂浓度，所述第二P型区的深度大于所述漏区的深度、所述第二P型区将所述漏区完全包围，所述第二P型区横向延伸到所述第一局部场氧化层的第一侧边缘的鸟嘴结构的正下方；通过所述第二P型区的设置来减少所述漏区通过所述第一局部场氧化层的第一侧边缘的鸟嘴结构的电流密度来提高所述PLDMOS的抗ESD的能力。
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