[发明专利]RFLDMOS工艺中稳定栅极形貌的工艺方法

摘要

本发明提供了一种RFLDMOS工艺中稳定栅极形貌的工艺方法，包括如下步骤：1)在P型轻掺杂外延层上生长一层栅氧化硅形成栅氧层；2)在栅氧层上淀积一层多晶硅形成多晶硅栅；3)先通过一次光刻，定义出器件栅极的源端和漏端的其中一端，进行第一次刻蚀，去除光刻胶，形成栅极的一半；4)再进行第二次光刻，定义出器件栅极的另一端，再进行第二次刻蚀，去除光刻胶。本发明采用两步刻蚀的方法形成栅极，于现有技术的通过一步刻蚀形成栅极的方法相比，降低了单次刻蚀的清除率(clear ratio),对刻蚀来讲能够更稳定的控制栅极的形貌，从而达到稳定阈值电压的目的。

主权项

1.一种RFLDMOS工艺中稳定栅极形貌的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：1）在P型轻掺杂外延层上生长一层栅氧化硅形成栅氧层；通过光刻刻蚀使该RFLDMOS的漏端有厚栅氧而源端有薄栅氧；2）在栅氧层上淀积一层多晶硅形成多晶硅栅；3）先通过第一次光刻，定义出器件栅极的源端，进行第一次刻蚀，该第一次光刻、刻蚀在器件栅极源端一侧进行；在第一次光刻、第一次刻蚀时，器件栅极源端一侧保留一条多晶硅虚拟线；该虚拟线位于该厚栅氧区，且长度比该厚栅氧区小；去除光刻胶，形成栅极的一半；4）再进行第二次光刻，定义出器件栅极的另一端，再进行第二次刻蚀，在光刻中，不仅打开漏端，而且打开虚拟线；去除光刻胶。