[发明专利]自旋逻辑器件和包括其的电子设备有效
| 申请号： | 201610064129.8 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105514260B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 张轩;万蔡华;韩秀峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所11497 | 代理人： | 黄小临,冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及自旋逻辑器件和包括其的电子设备。一种自旋逻辑器件包括自旋霍尔效应SHE层，其由具有自旋霍尔效应的导电材料制成，并且用于接收沿第一方向的第一输入电流和第二输入电流；位于所述SHE层上的磁性隧道结，所述磁性隧道结具有自由磁层、参考磁层以及位于二者之间的势垒层，其中所述自由磁层直接接触所述SHE层；以及在所述磁性隧道结上方沿第二方向延伸并且电连接到所述磁性隧道结的电流布线，所述第二方向与所述第一方向交叉，所述电流布线用于接收第三输入电流以在所述磁性隧道结处生成磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 逻辑 器件 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
一种自旋逻辑器件，包括：自旋霍尔效应SHE层，其由具有自旋霍尔效应的导电材料制成，并且用于接收沿第一方向的第一输入电流和第二输入电流；位于所述SHE层上的磁性隧道结，所述磁性隧道结具有自由磁层、参考磁层以及位于二者之间的势垒层，其中所述自由磁层直接接触所述SHE层；以及在所述磁性隧道结上方沿第二方向延伸并且电连接到所述磁性隧道结的电流布线，所述第二方向与所述第一方向交叉，所述电流布线用于接收第三输入电流以在所述磁性隧道结处生成磁场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610064129.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
