[发明专利]一种修饰氧化铟锡阳极有效
申请号: | 201610064180.9 | 申请日: | 2013-01-11 |
公开(公告)号: | CN105895822B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 吴剑辉 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/44 |
代理公司: | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人: | 曹明兰 |
地址: | 362300 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种修饰氧化铟锡阳极,包括氧化铟锡阳极和修饰层,所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜,所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面,所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In‑F形式存在的含氟偶极层,所述含氟偶极层的氟元素的质量百分含量为19~23%,锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.006~0.014。含氟偶极层的存在使阳极表面功函得到了提高。另,本发明实施例还公开了该修饰氧化铟锡阳极的制备方法,以及使用上述修饰氧化铟锡阳极的有机电致发光器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 修饰 氧化 阳极 | ||
【主权项】:
1.一种修饰氧化铟锡阳极,包括氧化铟锡阳极和修饰层,所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜,所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面,其特征在于,所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In‑F形式存在的含氟偶极层,所述含氟偶极层的氟元素的百分含量为19~23%,锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.006~0.014;所述修饰氧化铟锡阳极是通过如下方法制备得到的:提供洁净的氧化铟锡阳极,所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜;向所述氧化铟锡薄膜表面滴加含氟有机物;所述含氟有机物为二氟邻位取代的芳香族化合物;待所述含氟有机物扩散完毕后,将所述氧化铟锡阳极在惰性气体保护下,对滴加含氟有机物的一面进行紫外光照处理,处理的时间为5~20分钟;紫外光照处理完毕后,将所述氧化铟锡阳极进行臭氧化处理,得到修饰氧化铟锡阳极,所述修饰氧化铟锡阳极的表面具有修饰层,所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In‑F形式存在的含氟偶极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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