[发明专利]钨膜的成膜方法有效
| 申请号： | 201610064286.9 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105839068B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 成嶋健索;堀田隼史;丸山智久;饗场康 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/08 | 分类号： | C23C16/08;C23C16/455;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够通过使用了WCl6气体作为原料气体的ALD法来以较高的生产率形成填埋性良好的钨膜的钨膜的成膜方法。在收容有被处理基板并被保持在减压气氛下的腔室内，利用ALD法在被处理基板的表面形成钨膜时，在供给氯化钨气体时，以ALD反应为主体的程度添加还原气体，在该ALD法中，以隔着腔室内的吹扫的方式交替地供给作为钨原料气体的氯化钨气体以及用于对氯化钨气体进行还原的还原气体。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钨膜的成膜方法，在该钨膜的成膜方法中，在收容有被处理基板并被保持在减压气氛下的腔室内，利用ALD法在被处理基板的表面形成钨膜，在该ALD法中，以隔着所述腔室内的吹扫的方式交替地供给作为钨原料气体的氯化钨气体以及对氯化钨气体进行还原的还原气体，该钨膜的成膜方法的特征在于，在供给所述氯化钨气体时，以ALD反应为主体的程度添加所述还原气体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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