[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610064394.6 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN106531799B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 铃木拓马;河野洋志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置包括：SiC层，具有第1面及第2面；栅极绝缘膜，设置于第1面上；栅极电极，设置于栅极绝缘膜上；第1导电型的第1SiC区域，设置于SiC层内，且一部分设置于第1面；第2导电型的第2SiC区域，设置于第1SiC区域内，且一部分设置于第1面；第1导电型的第3SiC区域，设置于第2SiC区域内，且一部分设置于第1面；及第1导电型的第4SiC区域，设置于第2SiC区域与栅极绝缘膜之间，在第1面由第2SiC区域夹着，且在第1面设置于第1SiC区域与第3SiC区域之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包括：SiC层，具有第1面及第2面；栅极绝缘膜，设置于所述第1面上；栅极电极，设置于所述栅极绝缘膜上；第1导电型的第1SiC区域，设置于所述SiC层内，且一部分设置于所述第1面；第2导电型的第2SiC区域，设置于所述第1SiC区域内，且一部分设置于所述第1面；第1导电型的第3SiC区域，设置于所述第2SiC区域内，且一部分设置于所述第1面；及第1导电型的第4SiC区域，设置于所述第2SiC区域与所述栅极绝缘膜之间，在所述第1面由所述第2SiC区域夹着，且在所述第1面设置于所述第1SiC区域与所述第3SiC区域之间。
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