[发明专利]一种新型晶圆减薄方法

摘要

一种新型晶圆减薄方法，将聚四氟乙稀加入聚酰亚氨溶液，滚动搅拌均匀，形成涂覆液；涂覆液涂覆于原始晶圆片正面，覆盖原始晶圆片表面和原始晶圆片正面与边缘之间的倒角，形成覆盖层；或将聚四氟乙稀胶膜或UV胶膜覆盖于原始晶圆片正面，低温烘烤，使胶膜覆盖原始晶圆片正面以及原始晶圆片正面与边缘之间的倒角，形成覆盖层；按现有工艺对原始晶圆片进行粗磨、和细磨；光照，使覆盖层裂化；等离子清洗去除裂化的覆盖层，即得减薄后的晶圆。该减薄方法能避免减薄过程对晶圆表面的二次污染，提高晶圆减薄质量和测试良率，而且不需要用大量的水进行清洗，不仅节约了大量水资源，并为后续压焊工艺提供了良好的基础。

主权项

1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，具体按以下步骤进行：步骤1：取聚酰亚氨溶液，再按所取聚酰亚氨溶液质量的20%取聚四氟乙稀，聚四氟乙稀加入聚酰亚氨溶液中，滚动搅拌均匀，形成涂覆液；将涂覆液均匀涂覆在原始晶圆（1）正面以及边缘的倒角上，使涂覆液与原始晶圆片（1）正面以及边缘的倒角紧密粘贴，在60℃温度下烘烤20min，涂覆液硬化形成覆盖层（5），对原始晶圆片（1）上的芯片实现无缝隙保护；或者，取聚四氟乙稀UV胶膜，将聚四氟乙稀UV胶膜覆盖于原始晶圆片（1）正面，在50℃温度下烘烤10min，聚四氟乙稀UV胶膜软化后，去除聚四氟乙稀UV胶膜与原始晶圆片（1）边缘倒角之间形成的空隙（3）中的气泡，使聚四氟乙稀UV胶膜紧密粘贴在原始晶圆片（1）正面以及边缘的倒角上，形成覆盖层（5），对原始晶圆片（1）上的芯片实现无缝隙保护；步骤2：按现有的粗磨工艺对原始晶圆片（1）进行粗磨；步骤3：按现有的细磨工艺对粗磨后的原始晶圆片（1）进行细磨；步骤4：对覆盖层（5）进行光照，使覆盖层（5）裂化；步骤5：等离子清洗去除裂化的覆盖层（5），即得减薄后的晶圆。