[发明专利]一种PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备在审
| 申请号： | 201610064770.1 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN107022741A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 渠洪波 | 申请（专利权）人： | 沈阳科友真空技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备，涉及一种真空溅射镀膜技术领域。该发明包括真空室、上盖升降机构和电源，真空室内设置有阴极钨丝、磁极板、磁控靶和工件台，阴极钨丝通过灯丝固定柱固定在真空室的顶端中心处，阴极钨丝围绕真空室的中心处有序排列，磁极板包括上磁极板和下磁极板，上磁极板设置在真空室的顶端，下磁极板设置在真空室的底端，工件台位于下磁极板的上方，磁控靶包括左磁控靶和右磁控靶，左磁控靶设置在真空室的左端，右磁控靶设置在真空室的右端，左磁控靶和右磁控靶相对设置。本发明设计一个能够增加电子数，并通过磁场束缚电子运动轨迹，进一步增加电子与膜材原子或分子碰撞几率从而提高离化率的设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pems 等离子体 增强 磁控溅射 镀膜 设备 | ||
【主权项】：
一种PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备，其特征在于，包括真空室、上盖升降机构和电源，所述真空室内设置有阴极钨丝、磁极板、磁控靶和工件台，所述阴极钨丝通过灯丝固定柱固定在所述真空室的顶端中心处，所述阴极钨丝围绕所述真空室的中心处有序排列，所述磁极板包括上磁极板和下磁极板，所述上磁极板设置在所述真空室的顶端，所述下磁极板设置在所述真空室的底端，所述工件台位于所述下磁极板的上方，所述磁控靶包括左磁控靶和右磁控靶，所述左磁控靶设置在所述真空室的左端，所述右磁控靶设置在所述真空室的右端，所述左磁控靶和所述右磁控靶相对设置。
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