[发明专利]倒装芯片发光二极管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610064896.9 申请日: 2016-01-29
公开(公告)号: CN105895747B 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 黄秀璋 申请(专利权)人: 黄秀璋
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/54;H01L33/64;H01L25/075
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 孙英杰;陈亮
地址: 中国台湾新北市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明涉及一种倒装芯片发光二极管及其制造方法。该倒装芯片发光二极管包括封装体以及导体层。封装体中封装有至少一发光二极管芯片。发光二极管芯片具有从封装体的一侧面暴露出来的正极与负极。导体层设置在封装体的侧面上且直接接触发光二极管芯片的正极与负极。导体层具有电路图案以及使发光二极管芯片的正极与负极相互绝缘的绝缘部。本发明提供的倒装芯片发光二极管及其制造方法可降低成本并提升散热效率。
搜索关键词: 倒装 芯片 发光二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种制造倒装芯片发光二极管的方法,该方法包括以下的步骤:提供封装体,该封装体中包括至少一发光二极管芯片,该发光二极管芯片的正极与负极是从该封装体的一侧面暴露出来并与该侧面齐平,其中,该正极与该负极在该封装体内相互绝缘;以及在该封装体的该侧面形成具有绝缘部的导体,该导体直接接触该发光二极管芯片的该正极与该负极,且该绝缘部用于使该发光二极管芯片的该正极与该负极相互绝缘。
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