[发明专利]液晶显示面板、TFT基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201610064926.6 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105552025A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 谢应涛 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 梁恺峥 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT基板的制造方法，该方法包括：在衬底基板设置凹槽；在凹槽中填充金属材料以形成第一金属层，其中第一金属层作为TFT基板的栅极；在第一金属层和衬底基板上设置绝缘层；在绝缘层上依次设置半导体材料层和第二金属层，其中，第二金属层形成TFT基板的漏极和源极，半导体材料层间隔设置于漏极和栅极之间。本发明还公开一种液晶显示面板和TFT基板。通过上述方式，本发明能够降低TFT基板的厚度，有利于实现超薄化液晶显示面板，且能够提升液晶显示面板的显示品质。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶显示 面板 tft 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板设置凹槽；在所述凹槽中填充金属材料以形成第一金属层，其中所述第一金属层作为所述TFT基板的栅极；在所述第一金属层和所述衬底基板上设置绝缘层；在所述绝缘层上依次设置半导体材料层和第二金属层，其中，所述第二金属层形成所述TFT基板的漏极和源极，所述半导体材料层设置于所述漏极和所述栅极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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