[发明专利]一种硫化铋半导体薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610065059.8 申请日: 2016-01-29
公开(公告)号: CN105692696B 公开(公告)日: 2017-07-04
发明(设计)人: 蒋良兴;汪颖;陈建宇;刘芳洋;孙凯乐;赖延清 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: C01G29/00 分类号: C01G29/00;C02F1/30;C02F101/30
代理公司: 长沙市融智专利事务所43114 代理人: 魏娟
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种硫化铋半导体薄膜的制备方法,该制备方法是将基底依次置于铋盐乙二醇甲醚溶液中浸泡和含硫化合物有机溶液中浸泡后,在保护气氛中进行热处理,即在基体表面生成硫化铋半导体薄膜,该方法操作简单、成本低、重现性好、易于大规模连续生产,该方法可以控制硫化铋薄膜厚度以及硫化铋薄膜大面积连续致密生长,制备的硫化铋半导体薄膜厚度均匀、结晶性好、连续致密,且具有良好的光电性能。
搜索关键词: 一种 硫化 半导体 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种硫化铋半导体薄膜的制备方法,其特征在于:将基底依次置于铋盐乙二醇甲醚溶液中浸泡和含硫化合物有机溶液中浸泡后,在保护气氛中进行热处理,即在基体表面生成硫化铋半导体薄膜;所述的铋盐为硝酸铋、氯化铋和乙酸铋中至少一种;所述的含硫化合物为单质硫、硫脲和硫化钠中至少一种;所述的含硫化合物有机溶液以甲醇、氯仿和丙酮中至少一种作为溶剂。
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