[发明专利]沟槽型超级结外延填充方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型超级结外延填充方法，包括步骤：步骤一、提供一形成有N型外延层的半导体衬底。步骤二、在N型外延层中形成多个沟槽。步骤三、采用外延生长中在沟槽中填充具有层次结构的P型外延层，层次结构通过调节硼烷气体通入速率实现。本发明能降低超级结形成的器件的开关速度、减少对外电磁干扰。

主权项

1.一种沟槽型超级结外延填充方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成有N型外延层；步骤二、采用干法刻蚀工艺在所述N型外延层中形成多个沟槽；步骤三、采用外延生长中在所述沟槽中填充P型外延层，由填充于所述沟槽中的所述P型外延层组成P型薄层，由所述沟槽之间的所述N型外延层组成N型薄层，所述N型薄层和所述P型薄层交替排列组成超级结；所述N型薄层和所述P型薄层的电荷平衡；所述P型外延层的外延生长过程中通过向所述沟槽中通入硼烷气体实现P型掺杂；所述P型外延层由多个P型掺杂浓度不同的P型外延子层叠加形成，各所述P型外延子层的P型掺杂浓度通过调节所述硼烷气体的通入速率调节，不同掺杂浓度的各所述P型外延子层使整个所述P型外延层形成层次结构，通过具有层次结构的所述P型外延层的设置来提高所述超级结的完全反偏的时间、降低开关速度，从而减少超级结器件的对外电磁干扰；所述P型外延层的层次结构中，各所述P型外延子层的外延生长过程中都从所述沟槽的侧面和底部表面同时生长；反偏时位于所述沟槽侧面的各所述P型外延子层和所述N型薄层之间依次横向耗尽，从而提高所述超级结的完全反偏的时间。