[发明专利]电磁波屏蔽结构有效

专利信息
申请号: 201610066056.6 申请日: 2016-01-29
公开(公告)号: CN105848458B 公开(公告)日: 2019-11-01
发明(设计)人: 玄淳莹;裵硕;尹兄;权容栽;李亨仪 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 李琳;许向彤
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及一种能够有效地屏蔽电子元件的电磁波的结构。电磁波屏蔽结构通过形成用于屏蔽其中的电磁波的功能层可以从根本上阻止电磁干扰(EMI)泄漏并且有效地屏蔽各种电子器件的电磁波。
搜索关键词: 电磁波 屏蔽 结构
【主权项】:
1.一种电磁波屏蔽结构,包括:屏蔽结构,设置成包围产生电磁波的电磁波产生源的至少一部分;以及金属层,形成在所述屏蔽结构的上部和侧部的内表面上并且具有预定的表面粗糙度,其中,所述表面粗糙度形成在所述屏蔽结构的所述上部和所述侧部的所述内表面上,其中,所述屏蔽结构的所述上部的所述内表面的所述表面粗糙度在5.0μm至7.0μm的范围内,所述屏蔽结构的所述侧部的所述内表面的所述表面粗糙度在0.1μm至3.0μm的范围内,其中,所述屏蔽结构的所述上部的所述表面粗糙度与所述屏蔽结构的所述侧部的表面粗糙度彼此不同,其中,对于具有30MHz至1GHz的频带的电磁波,所述屏蔽结构具有72.1至75.4的范围内的电磁波屏蔽效率,对于具有1.1GHz至10GHz的频带的电磁波,所述屏蔽结构具有28.3至33.4的范围内的电磁波屏蔽效率。
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