[发明专利]包含部分限定型相变材料结构的相变存储单元及制作方法在审
| 申请号： | 201610066316.X | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105633279A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘波;宋志棠;许震;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种包含部分限定型相变材料结构的相变存储单元及制作方法，包括：1）提供衬底，在衬底内形成至少一个下电极；2）在下电极的上表面形成加热电极，在加热电极之间的衬底表面形成第一绝缘材料层；3）采用回刻工艺刻蚀去除部分加热电极及第一绝缘材料层，在加热电极上方的第一绝缘材料层内形成限定型孔结构；4）在限定型孔结构内形成部分限定型相变材料结构，并在部分限定型相变材料结构表面形成上电极；5）在上电极表面形成引出电极。本发明与传统蘑菇型器件结构相比，相变体积减小，可以大大降低器件功耗并提高相变速度，与完全限定型相变材料器件结构相比，不需要引入相变材料的化学机械抛光工艺，避免了对相变材料上表面的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 部分 限定 相变 材料 结构 存储 单元 制作方法 | ||
【主权项】：
一种包含部分限定型相变材料结构的相变存储单元的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：1)提供衬底，在所述衬底内形成至少一个下电极，所述下电极镶嵌于所述衬底内，且所述下电极的上表面与所述衬底的上表面相平齐；2)在所述下电极的上表面形成加热电极，并在所述加热电极之间的所述衬底表面形成第一绝缘材料层；3)采用回刻工艺刻蚀去除部分所述加热电极及所述第一绝缘材料层，在所述加热电极上方的所述第一绝缘材料层内形成限定型孔结构；4)在所述限定型孔结构内形成部分限定型相变材料结构，并在所述部分限定型相变材料结构表面形成上电极；5)在所述上电极表面形成引出电极。
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