[发明专利]具有反射效果切割道的垂直LED芯片结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种具有反射效果切割道的垂直LED芯片结构及其制备方法，包括1）提供蓝宝石衬底，于蓝宝石衬底上依次生长UID-GaN层、N-GaN层、多量子阱层以及P-GaN层；2）于对应于后续要形成台阶结构的边缘及切割道区域内的P-GaN层表面形成刻蚀阻挡层；3）于P-GaN层及刻蚀阻挡层表面形成P电极；4）提供键合衬底，将键合衬底与步骤3）得到的结构键合在一起；5）剥离蓝宝石衬底；6）去除UID-GaN层；7）对N-GaN层表面进行表面粗化，形成粗化微结构；8）采用ICP刻蚀工艺去除切割道区域的GaN，同时形成台阶结构；9）于表面粗化后的N-GaN层表面制备N电极。本发明增加了垂直LED芯片结构中台阶结构边缘及切割道区域的反射效果，大大增加了垂直LED芯片结构的出光效果。

主权项

一种具有反射效果切割道的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1)提供蓝宝石衬底，于所述蓝宝石衬底上依次生长UID‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层以及P‑GaN层；2)于对应于后续要形成台阶结构的边缘及切割道区域内的所述P‑GaN层表面形成刻蚀阻挡层；3)于所述P‑GaN层及所述刻蚀阻挡层表面形成P电极；4)提供键合衬底，将所述键合衬底与步骤3)得到的结构键合在一起，且所述P电极的表面与所述键合衬底的表面紧密贴合；5)剥离所述蓝宝石衬底；6)去除所述UID‑GaN层；7)对所述N‑GaN层表面进行表面粗化，形成粗化微结构；8)采用ICP刻蚀工艺去除切割道区域的GaN，同时形成台阶结构；9)于表面粗化后的所述N‑GaN层表面制备N电极。