[发明专利]半导体器件的形成方法有效
申请号: | 201610067374.4 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN105513954B | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 高超;江红;张永福;王哲献;李冰寒 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/762;H01L27/11517;H01L27/11558 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种半导体器件的形成方法,包括:在存储栅极膜表面、第一栅极侧墙表面、以及暴露出的隔离区表面形成图形化掩膜层,所述图形化掩膜层还位于第一隔离区的逻辑栅极膜整个顶部和侧壁表面;以图形化掩膜层为掩膜,刻蚀逻辑区的逻辑栅极膜直至暴露出逻辑区基底表面,形成逻辑栅极结构,且在形成逻辑栅极结构后,位于第一隔离区的逻辑栅极膜为支撑栅结构;接着,去除图形化掩膜层。本发明中,第一隔离区的图形化掩膜层受到支撑栅结构的支撑作用,因此在去除图形化掩膜层的过程中,第一隔离区的图形化掩膜层被逐渐消耗,而不会发生第一隔离区的图形化掩膜层倒塌的问题,避免倒塌的图形化掩膜层对半导体器件的良率造成不良影响,提高半导体器件生产良率。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括存储区、逻辑区、以及位于存储区和逻辑区之间的隔离区,所述隔离区包括与逻辑区相邻接的第一隔离区,所述存储区基底表面形成有存储栅极膜、以及位于存储栅极膜表面的介质层,所述介质层还位于部分隔离区表面且暴露出第一隔离区表面;形成覆盖所述介质层表面、隔离区表面、以及逻辑区基底表面的逻辑栅极膜;采用第一刻蚀工艺刻蚀去除位于存储区上方的逻辑栅极膜,保留位于第一隔离区表面以及逻辑区基底表面的逻辑栅极膜,且在第一刻蚀工艺后,位于介质层侧壁表面的逻辑栅极膜为第一栅极侧墙;去除所述介质层;在所述存储栅极膜表面、第一栅极侧墙表面、以及暴露出的隔离区表面形成图形化掩膜层,所述图形化掩膜层还位于第一隔离区的逻辑栅极膜整个顶部和侧壁表面,且所述图形化掩膜层还位于逻辑区的部分逻辑栅极膜顶部表面;以所述图形化掩膜层为掩膜,采用第二刻蚀工艺刻蚀逻辑区的逻辑栅极膜直至暴露出逻辑区基底表面,形成逻辑栅极结构,且在第二刻蚀工艺后,位于第一隔离区的逻辑栅极膜为支撑栅结构;采用湿法刻蚀工艺,刻蚀去除所述图形化掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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