[发明专利]被处理体的处理方法

摘要

本发明提供一种被处理体的处理方法，通过该方法，即使掩模的开口的纵横比高，也能够使形成于被处理体上的氧化硅膜的膜厚偏差降低。在一个实施方式的方法中，反复进行包括以下步骤的流程来形成氧化硅膜：(a)在等离子体处理装置的处理容器内，生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体，从而在被处理体上形成反应前驱体的第一步骤；(b)在第一步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第二步骤；(c)在第二步骤之后，在处理容器内生成包含氧气的第二气体的等离子体，形成氧化硅膜的第三步骤；和(d)在第三步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第四步骤。

主权项

1.一种包括掩模的被处理体的处理方法，其特征在于，反复进行包含以下步骤的流程来形成氧化硅膜：在等离子体处理装置的处理容器内生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体，在被处理体上形成反应前驱体的第一步骤；在所述第一步骤之后，在所述处理容器内生成稀有气体的等离子体的第二步骤；在所述第二步骤之后，在所述处理容器内生成包含氧气的第二气体的等离子体，形成氧化硅膜的第三步骤；和在所述第三步骤之后，在所述处理容器内生成稀有气体的等离子体的第四步骤，所述第一步骤、所述第二步骤、所述第三步骤和所述第四步骤依次连续地执行，在所述第一步骤、所述第二步骤、所述第三步骤和所述第四步骤中均生成所述稀有气体的等离子体，在所述第四步骤中对所述处理容器内供给的所述稀有气体的流量，大于在所述第三步骤中对所述处理容器内供给的所述稀有气体的流量。