[发明专利]垂直LED芯片结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种垂直LED芯片结构及其制备方法，包括1）提供蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上依次生长UID-GaN层、N-GaN层、多量子阱层以及P-GaN层；2）在P-GaN层上形成P电极；3）提供键合衬底，将键合衬底与步骤2）得到的结构键合；4）剥离蓝宝石衬底；5）去除UID-GaN层；6）在N-GaN层表面形成掩膜层，依据掩膜层，采用ICP刻蚀工艺去除部分位于切割道区域的GaN；7）去除掩膜层，采用湿法刻蚀工艺去除保留于切割道区域的GaN，同时形成台阶结构；8）对N-GaN层表面进行表面粗化，形成粗化微结构；9）在N-GaN层表面制备N电极。由于ICP刻蚀过程中并未完全刻透位于切割道区域的GaN，切割道区域不会有金属溅起物的产生，台阶结构的侧壁不会产生漏电或ESD击穿漏电。

主权项

一种垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1)提供蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上依次生长UID‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层以及P‑GaN层；2)在所述P‑GaN层上形成P电极；3)提供键合衬底，将所述键合衬底与步骤2)得到的结构键合在一起，且所述P电极的表面与所述键合衬底的表面紧密贴合；4)剥离所述蓝宝石衬底；5)去除所述UID‑GaN层；6)在对应于后续要形成台阶结构的区域的所述N‑GaN层表面形成掩膜层，依据所述掩膜层，采用ICP刻蚀工艺去除部分位于切割道区域的GaN；7)去除所述掩膜层，并采用湿法刻蚀工艺去除保留于切割道区域的GaN，同时形成台阶结构；8)对所述N‑GaN层表面进行表面粗化，形成粗化微结构；9)在表面粗化后的所述N‑GaN层表面制备N电极。