[发明专利]具有高亮度的LED芯片及其制备方法

摘要

本发明提供一种具有高亮度的LED芯片及其制备方法，包括以下步骤1）提供生长衬底，在生长衬底上依次生长n型GaN层、发光层多量子阱及p型GaN层；2）形成贯穿p型GaN层及发光层多量子阱的深槽，深槽的底部位于n型GaN层内；3）在p型GaN层表面形成电流阻挡层；4）在p型GaN层及电流阻挡层表面形成石墨烯，石墨烯包覆电流阻挡层，并覆盖电流阻挡层外围的部分p型GaN层；5）在电流阻挡层上方的石墨烯表面形成P电极，并在n型GaN层表面形成N电极。使用石墨烯来替代氧化铟锡作为LED芯片制程中的欧姆接触及电流扩展层，使得所述LED芯片具有更高的光透过率、更高的散热能力及更强的耐环境性，从而有效地提升LED芯片的亮度和可靠性能。

主权项

一种具有高亮度的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：1)提供生长衬底，在所述生长衬底上依次生长n型GaN层、发光层多量子阱及p型GaN层；2)形成贯穿所述p型GaN层及所述发光层多量子阱的深槽，所述深槽的底部位于所述n型GaN层内；3)在所述p型GaN层表面形成电流阻挡层；4)在所述p型GaN层及所述电流阻挡层表面形成石墨烯，所述石墨烯包覆所述电流阻挡层，并覆盖所述电流阻挡层外围的部分所述p型GaN层；5)在所述电流阻挡层上方的所述石墨烯表面形成P电极，并在所述n型GaN层表面形成N电极。