[发明专利]一种N型背结太阳能电池的制作方法有效
申请号: | 201610068859.5 | 申请日: | 2016-02-01 |
公开(公告)号: | CN105489712B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 张高洁;刘运宇;吴坚;王栩生;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 张海英,林波 |
地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种N型背结太阳能电池的制作方法,包括如下步骤1)碱抛光利用碱溶液对N型硅片的背面进行碱抛光处理;2)硼掺杂对N型硅片的背面进行硼掺杂处理,以形成p+发射层,控制N型硅片的背面表面的掺杂浓度峰值达到1E20cm‑3以上;3)清洗对N型硅片的背面进行清洗,以去除N型硅片的背面的硼硅玻璃层或氧化层;4)碱制绒利用碱溶液对N型硅片的正面进行制绒处理,得到N型背结太阳能电池的主体结构;将步骤4)中处理后的主体结构经磷掺杂、沉积钝化膜、金属化处理,即可得到N型背结太阳能电池;其减少工艺步骤,降低成本,且加工质量高。 | ||
搜索关键词: | 一种 型背结 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】:
一种N型背结太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:1)碱抛光:利用碱溶液对N型硅片的背面进行碱抛光处理;2)硼掺杂:对N型硅片的背面进行硼掺杂处理,以形成p+发射层,控制N型硅片的背面表面的掺杂浓度峰值达到2E20cm‑3以上;3)清洗:对N型硅片的背面进行清洗,以去除N型硅片的背面的硼硅玻璃层或氧化层;4)碱制绒:利用碱溶液对N型硅片的正面进行制绒处理,得到N型背结太阳能电池的主体结构;将步骤4)中处理后的主体结构经磷掺杂、沉积钝化膜、金属化处理,即可得到N型背结太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的