[发明专利]EUV设计规则、光源和掩模的联合优化和成像建模方法有效
| 申请号： | 201610068977.6 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN105574293B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 郭沫然;宋之洋;韦亚一 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;G03F1/22 |
| 代理公司： | 11370 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 朱海波<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了EUV的设计规则，光源和掩模的联合优化方法，包括：针对提供的EUV模型进行第一优化仿真并获取满足第一光刻工艺条件的光源和掩模版图；进行第二优化仿真并获取满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模版图。本发明还公开了一种极紫外光刻的成像建模方法。本方法将芯片设计规则优化引入SMO流程中，得到设计目标图形和先进SMO联合优化方法，在保证器件尺寸不变情况下，微调部分器件版图线宽及间距，从而提高整体工艺窗口，节省了优化的时间，同时又达到增大复合工艺窗口的目的。 | ||
| 搜索关键词： | euv 设计 规则 光源 联合 优化 成像 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种极紫外光刻的设计规则，光源和掩模的联合优化方法，包括：/n针对提供的EUV模型进行第一优化仿真并获取满足第一光刻工艺条件的光源和掩模版图；/n其中，进行第一优化仿真包括：/nS05：在整个掩模版图上使用统一的吸收层厚度，对热点区域进行光源和掩模联合的第一优化仿真，并获取优化后的光源和掩模版图；/nS06：对优化后的光源和掩模版图进行分析，评估成像结果是否满足第一光刻工艺条件，若光刻成像质量满足第一光刻工艺条件，则光源掩模联合优化SMO完成，执行步骤S08，如果不能够满足第一光刻工艺条件，则执行步骤S07；/nS07：根据第一优化仿真的成像结果分析光刻条件中的不足，调整光刻工艺参数以及重复执行步骤S05、步骤S06，直至优化后的光源和掩模版图满足第一光刻工艺条件；/nS08：确定满足第一光刻工艺条件的光源和掩模版图；/n进行第二优化仿真并获取满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模版图；/n其中，进行第二优化仿真包括：/nS09：确定掩模版图的吸收层厚度的范围以及步长，按照预先设定的步长将一定范围的吸收层厚度进行采样，分别计算不同吸收层厚度下的极紫外光刻成像模型，利用不同吸收层厚度进行多次光源掩模联合优化SMO；/nS10：对不同的吸收层厚度的SMO结果的工艺窗口进行第二优化仿真，选择出最佳的吸收层厚度、光源和掩模版图；/nS11：评估上述最佳的光源、掩模版图成像结果是否满足第二光刻工艺条件，如果能够满足第二光刻工艺条件，则执行步骤S13，若不满足要求，则执行步骤S12；/nS12：根据上述光刻工艺参数，同时对掩模设计规则、光源、掩模图形进行优化，直至所述第二优化仿真的评估结果满足第二光刻工艺条件，确定满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模版图；/nS13：计算掩膜图形的每个边缘分别计算阴影宽度，并按照上述步骤中更新后的掩膜图形尺寸进行调整，补偿其阴影效应。/n
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