[发明专利]R-T-B系烧结磁铁有效
| 申请号： | 201610069140.3 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN105845304B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 三轮将史;岩佐拓郎 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F1/08 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;伍飏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种R‑T‑B系烧结磁铁，其即便在伴随原料的微粉碎颗粒的微细化从而碳元素含量成为高值的情况下也能够得到高的矫顽力。本发明所涉及的R‑T‑B系烧结磁铁特征在于，该R‑T‑B系烧结磁铁包含R‑T‑B系化合物作为主相颗粒，上述R‑T‑B系烧结磁铁含有0.1质量％～0.3质量％的C，在由相邻的2个以上的所述主相颗粒形成的晶界中具有R‑Ga‑C浓缩部，其中，相比所述主相颗粒内，所述R‑Ga‑C浓缩部的R、Ga、C的浓度都更高。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁铁 | ||
【主权项】：
1.一种R‑T‑B系烧结磁铁，其特征在于，该R‑T‑B系烧结磁铁包含R‑T‑B系化合物作为主相颗粒，所述R表示稀土元素的至少一种，所述T表示Fe、或者Fe和包含Co的1种以上的铁族元素，所述R‑T‑B系烧结磁铁含有0.1质量％～0.3质量％的C，在由相邻的2个以上的所述主相颗粒形成的晶界中具有R‑Ga‑C浓缩部，其中，相比所述主相颗粒内，所述R‑Ga‑C浓缩部的R、Ga、C的浓度都更高。
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