[发明专利]具有负阻特性的装置结构有效
| 申请号： | 201610069313.1 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN105845744B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | F·陈;C·D·格拉斯;T·L·卡内;M·A·欣奥斯克伊 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明提供呈现具有负阻特性的装置结构以及此类装置结构的制造方法。施加信号于金属‑绝缘体‑半导体电容器的金属层，以使该金属‑绝缘体‑半导体电容器的绝缘体层在一位置击穿。在该绝缘体层的该位置处的该击穿使该金属‑绝缘体‑半导体电容器呈现负阻。该金属层可由多晶金属组成。该多晶金属的晶粒可穿过该绝缘体层并进入位于该击穿的该位置处的衬底的部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 特性 装置 结构 | ||
【主权项】：
1.一种装置结构，通过使用由半导体组成的衬底形成，该装置结构包括：由多晶金属组成的第一层，该多晶金属包括多个晶粒；由电性绝缘体组成的第二层，该第二层位于该第一层与该衬底的部分之间，其中，该多个晶粒的至少一个穿过该第二层并进入该衬底的该部分中；以及位于该第一层与该第二层之间的第三层，该第三层由钽、氮化钽、钛、氮化钛或其组合组成，其中，该多个晶粒的该至少一个也穿过该第三层。
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