[发明专利]一种应用于无线充电控制芯片的可调磁滞比较器

摘要

本发明公开一种应用于无线充电控制芯片的可调磁滞比较器，其包括PMOS管P0，PMOS管P1，PMOS管P2，PMOS管P3，PMOS管P4，NMOS管N0，NMOS管N1，NMOS管N2，NMOS管N3，NMOS管N4，NMOS管N5，NMOS管N6，NMOS管N7，NMOS管N8，NMOS管N9，NMOS管N10，NMOS管N11，NMOS管N12，NMOS管N13，第一运算放大器，第二运算放大器，比较器，电阻R0，电阻R1，开关K0，开关K1，开关K2，开关K3和无线充电控制芯片，其中开关K0、K1、K2、K3通过无线充电控制芯片的逻辑控制模块控制闭合或断开。

主权项

1.一种应用于无线充电控制芯片的可调磁滞比较器，其特征在于：包括PMOS管P0，PMOS管P1，PMOS管P2，PMOS管P3，PMOS管P4，NMOS管N0，NMOS管N1，NMOS管N2，NMOS管N3，NMOS管N4，NMOS管N5，NMOS管N6，NMOS管N7，NMOS管N8，NMOS管N9，NMOS管N10，NMOS管N11，NMOS管N12，NMOS管N13，第一运算放大器，第二运算放大器，比较器，电阻R0，电阻R1，开关K0，开关K1，开关K2，开关K3和无线充电控制芯片，其中开关K0、K1、K2、K3通过无线充电控制芯片的逻辑控制模块控制闭合或断开，其连接关系如下：第一运算放大器的正输入端连接电源Vref，负输入端与NMOS管N0的源极、电阻R0的第一输入端连接，输出端连接NMOS管N0的栅极；电阻R0的第二输入端接地，NMOS管N0的漏极连接PMOS管P0的栅极和漏极，PMOS管P0的源极、PMOS管P1的源极、PMOS管P2的源极、PMOS管P3的源极、以及PMOS管P4的源极均连接至电源Vdd；PMOS管P1的栅极和PMOS管P0的栅极连接，PMOS管P1的漏极连接NMOS管N1的栅极和漏极，NMOS管N1的源极连接NMOS管N2的栅极和漏极，NMOS管N2的源极接地；NMOS管N3的栅极连接NMOS管N1的栅极、NMOS管N5的栅极、NMOS管N7的栅极和NMOS管N9的栅极，NMOS管N3的源极连接NMOS管N4的漏极，NMOS管N3的漏极连接NMOS管N5的漏极、NMOS管N7的漏极、NMOS管N9的漏极、PMOS管P2的漏极和栅极、PMOS管P3的栅极和PMOS管P4的栅极，NMOS管N4的栅极连接NMOS管N2的栅极、NMOS管N6的栅极、NMOS管N8的栅极和NMOS管N10的栅极，NMOS管N4的源极、NMOS管N6的源极、NMOS管N8的源极和NMOS管N10的源极接地，NMOS管N6的漏极连接NMOS管N5的源极，NMOS管N8的漏极连接NMOS管N7的源极，NMOS管N10的漏极连接NMOS管N9的源极；PMOS管P3的漏极连接NMOS管N11的漏极和栅极、NMOS管N13的栅极；NMOS管N11的源极和NMOS管N13的源极接地，NMOS管N13的漏极连接NMOS管N12的源极，NMOS管N12的漏极连接PMOS管P5的漏极、电阻R1的第一输入端和比较器的负输入端，NMOS管N12的栅极连接PMOS管P5的栅极，PMOS管P5的源极连接PMOS管P4的漏极；电阻R1的第二输入端连接第二运算放大器的负输入端和输出端，第二运算放大器的正输入端连接电源Vref；比较器的输出端接于PMOS管P5的栅极；开关K0接于电源Vdd和NMOS管N3的源极之间，开关K1接于电源Vdd和NMOS管N5的源极之间，开关K2接于电源Vdd和NMOS管N7的源极之间，开关K3接于电源Vdd和NMOS管N9的源极之间。