[发明专利]一种湿法化学刻蚀制备黑硅的方法有效
| 申请号： | 201610071219.X | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN105551953B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 蒲天;罗旌旺;吴兢;芮春保;汪洋 | 申请（专利权）人： | 江苏辉伦太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 董建林,王玉 |
| 地址： | 210061 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种湿法化学刻蚀制备黑硅的方法，包括以下步骤（1）用氢氟酸和硝酸混合液或强碱去除硅片表面的损伤层；（2）用金属盐和氢氟酸混合液在硅片表面沉积金属，或利用磁控溅射方法在硅片表面形成一层贵金属膜；（3）用氢氟酸和高碘酸钾混合液刻蚀硅片；（4）用氨水和双氧水混合液清洗硅片或氢氟酸和硝酸混合液清洗硅片去除金属，即可制得黑硅。采用本发明制备的黑硅，成本低廉、工艺稳定，黑硅结构可控且可获得极低的反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 化学 刻蚀 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种湿法化学刻蚀制备黑硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）用氢氟酸和硝酸混合液或强碱去除硅片表面的损伤层；（2）用金属盐和氢氟酸混合液在硅片表面沉积金属，或利用磁控溅射方法在硅片表面形成一层贵金属膜；（3）用氢氟酸和高碘酸钾混合液刻蚀硅片，所述的氢氟酸浓度为1～10wt%，所述的高碘酸钾浓度为0.5～5wt%，反应温度为25～100℃，反应时间为60～600s；（4）用氨水和双氧水混合液清洗硅片或氢氟酸和硝酸混合液清洗硅片去除金属，即可制得黑硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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