[发明专利]一种由磁控溅射制备纳米多孔铜薄膜材料的方法有效
| 申请号： | 201610071243.3 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN105543796B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 司鹏超;孙挥 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/16;C22C3/00;C22C1/08;C23F1/20 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司37221 | 代理人： | 曹丽 |
| 地址： | 250061 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种由磁控溅射制备纳米多孔铜薄膜的方法，所述方法使用商业铜箔为基体材料，以高纯铜靶材铝靶材为溅射材料，磁控溅射设备为制备工具，通过辉光放电原理，溅射铜铝薄膜，在退火合金化后，脱合金腐蚀去掉活泼性组元铝得到纳米多孔铜薄膜。本发明所述方法为二步反应法，其克服了现有技术中利用合金配料熔炼、球磨、甩带所存在的步骤复杂、耗时长的问题，简化了制备工艺步骤；不仅仅是得到纳米多孔铜的纳米多孔结构，而薄膜大小可控，优于传统方法得到的纳米多孔铜粉末样品，进一步提高了纳米多孔铜的应用范围，并且具有商业化的前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 制备 纳米 多孔 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种由磁控溅射制备纳米多孔铜薄膜材料的方法，其特征在于，在铜基底上磁控溅射双靶共沉积Cu‑Al薄膜，在惰性气体保护条件下退火，脱合金，即得纳米多孔铜薄膜材料；所述双靶为铜靶和铝靶；所述脱合金处理中，脱合金溶液为H+浓度为0.8‑1.2mol/L的酸溶液；所述磁控溅射的条件为：铜靶溅射至少10min后，再开始铜靶和铝靶的共溅射；所述磁控溅射的条件为：铜靶与铝靶的溅射功率之比为1:3；所述退火工艺为： 420‑480℃退火1.5‑2.5h。
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