[发明专利]存储器电路的跨接结构有效
| 申请号： | 201610071611.4 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105990333B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/112;G11C17/12 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器电路，包括第一存储单元和与第一存储单元相邻的第二存储单元。第一存储单元包括：第一字线跨接线部，与第一存储单元的传输器件电耦接；和第二字线跨接线部。第二存储单元包括：第一字线跨接线部；和第二字线跨接线部，与第二存储单元的传输器件电耦接。第一存储单元的第一字线跨接线部和第二存储单元的第一字线跨接线部在第一互连层处相互连接。第一存储单元的第二字线跨接线部和第二存储单元的第二字线跨接线部在第一互连层处相互连接。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种存储器电路，包括：第一存储单元，包括：传输器件；字线部；第一字线跨接线部，与所述第一存储单元的传输器件和所述第一存储单元的字线部电耦接，其中，所述第一存储单元的第一字线跨接线部与所述第一存储单元字线部相互垂直；和第二字线跨接线部；以及第二存储单元，与所述第一存储单元相邻，所述第二存储单元包括：传输器件；字线部；第一字线跨接线部；和第二字线跨接线部，与所述第二存储单元的传输器件和所述第二存储单元的字线部电耦接，其中，所述第二存储单元的第二字线跨接线部与所述第二存储单元的字线部相互垂直，其中，所述第一存储单元的第一字线跨接线部和所述第二存储单元的第一字线跨接线部在所述存储器电路的第一互连层处相互连接；以及所述第一存储单元的第二字线跨接线部和所述第二存储单元的第二字线跨接线部在所述存储器电路的第一互连层处相互连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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