[发明专利]一种碳化硅单晶生长用复合保温结构有效
| 申请号： | 201610071881.5 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105543966A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李龙远 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 101111 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅单晶生长用复合保温结构，该复合保温结构包覆在碳化硅单晶生长的石墨坩埚外侧，由内层的固态石墨毡和外层的软性石墨毡复合而成。本发明的不同之处在于碳化硅晶体生长时保温结构采用内层用固态石墨毡，外层用软性石墨毡的复合保温结构，利用固态石墨毡的良好的强度和加工尺寸公差小的优点保证热场的重复性；利用软性石墨毡外部用发热量小的优点降低功耗和保温外表面的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 生长 复合 保温 结构 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶生长用复合保温结构，其特征在于，该复合保温结构包覆在碳化硅单晶生长的石墨坩埚外侧，由内层的固态石墨毡和外层的的软性石墨毡复合而成。
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