[发明专利]一种碳化硅晶片的抛光液有效
| 申请号： | 201610071883.4 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105647393A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 詹琳 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 101111 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种碳化硅晶片的抛光液，其中各组分所占重量百分比为：二氧化硅抛光液10-30%，粒径为50-100nm；纳米级金刚石研磨液0.1-10%，粒径为50-200nm；辅助氧化剂3-20%；pH调节剂0.5-10%；去离子水为余量；混合后的所述碳化硅晶片的抛光液pH值范围为7-9。适用于对SiC晶片进行化学机械抛光。该抛光液的特点是去除速率快（可在1-3小时内完成）、加工出的碳化硅晶片较光亮，表面强光灯观测无明显划痕且平整、均匀，表面粗糙度经原子力显微镜检测可稳定达到＜0.3nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 抛光 | ||
【主权项】：
一种碳化硅晶片的抛光液，其特征在于，其中各组分所占重量百分比为：二氧化硅抛光液10‑30%，粒径为50‑100nm；纳米级金刚石研磨液0.1‑10%，粒径为50‑200nm；辅助氧化剂3‑20%；pH调节剂0.5‑10%；去离子水为余量；混合后的所述碳化硅晶片的抛光液pH值范围为7‑9。
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