[发明专利]具有双阱的金属氧化物半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提出一种具有双阱的金属氧化物半导体元件及其制造方法。其中，具有双阱的MOS元件包含半导体基板、外延层、第一导电型阱、第一导电型本体区、第二导电型阱、栅极、第一导电型轻掺杂扩散区、第二导电型轻掺杂扩散区、第二导电型源极、以及第二导电型漏极。其中，第二导电型阱于一横向上邻接于第一导电型阱，且第二导电型阱与第一导电型阱形成PN接面。第一导电型轻掺杂扩散区，以自我对准工艺步骤，形成于第一导电型阱上的外延层中。第二导电型轻掺杂扩散区，以自我对准工艺步骤，形成于第二导电型阱上的外延层中。其中，PN接面位于第一导电型轻掺杂扩散区与第二导电型轻掺杂扩散区之间。

主权项

一种具有双阱的金属氧化物半导体元件，其特征在于，包含：一半导体基板，于一纵向上，具有相对的一上表面与一下表面；一外延层，形成于该基板上，于该纵向上，具有相对该上表面的一外延层表面，且该外延层堆叠并连接于该上表面上；一第一导电型阱，形成于该外延层中，且于该纵向上，位于该外延层表面下方；一第一导电型本体区，形成于该外延层中的该第一导电型阱上，且于该纵向上，堆叠并连接于该第一导电型阱与该外延层表面之间；一第二导电型阱，形成于该外延层中，且于该纵向上，位于该外延层表面下方，且于一横向上邻接于该第一导电型阱，且该第二导电型阱与该第一导电型阱形成一PN接面；一栅极，形成于该外延层表面上，于该纵向上，该栅极堆叠并连接于该外延层表面上；一第一导电型轻掺杂扩散区，以自我对准工艺步骤，形成于该第一导电型阱上的该外延层中，且于该纵向上，堆叠并连接于该第一导电型阱与该外延层表面之间；一第二导电型轻掺杂扩散区，以自我对准工艺步骤，形成于该第二导电型阱上的该外延层中，且于该纵向上，堆叠并连接于该第二导电型阱与该外延层表面之间；一第二导电型源极，形成于该第一导电型阱上的该外延层中，且于该纵向上，堆叠并连接于该第一导电型阱与该外延层表面之间，且于该横向上，连接于该第一导电型本体区与该第一导电型轻掺杂扩散区之间；以及一第二导电型漏极，形成于该第二导电型阱上的该外延层中，且于该纵向上，堆叠并连接于该第二导电型阱与该外延层表面之间，且于该横向上，与该第二导电型轻掺杂扩散区连接；其中，该PN接面位于该第一导电型轻掺杂扩散区与该第二导电型轻掺杂扩散区之间。