[发明专利]化合物半导体元件的栅极金属改良结构在审
| 申请号： | 201610072080.0 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN107026193A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 花长煌;邱凯信;华特东尼福摩斯 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/47;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马雯雯,臧建明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种化合物半导体元件的栅极金属改良结构，依次包括化合物半导体基板、肖特基能障层、绝缘层以及栅极金属；该绝缘层具有一栅极凹槽，其中该栅极凹槽的四周为该绝缘层，该栅极凹槽的底部为该肖特基能障层；该栅极金属包括接触层、第一扩散阻碍层、第二扩散阻碍层以及传导层，其中该接触层形成于该栅极凹槽的四周、该栅极凹槽的底部以及该绝缘层之上，且该接触层于该栅极凹槽的底部与该肖特基能障层相接触，该第一扩散阻碍层形成于该接触层之上，该第二扩散阻碍层形成于该第一扩散阻碍层之上，该传导层形成于该第二扩散阻碍层之上，藉此增强化合物半导体元件的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 元件 栅极 金属 改良 结构 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体元件的栅极金属改良结构，其特征在于，包括：化合物半导体基板；肖特基能障层，形成于所述化合物半导体基板之上；绝缘层，形成于所述肖特基能障层之上，所述绝缘层具有栅极凹槽，其中所述栅极凹槽的四周为所述绝缘层，所述栅极凹槽的底部为所述肖特基能障层；以及栅极金属，包括接触层、第一扩散阻碍层、第二扩散阻碍层以及传导层，其中所述接触层形成于所述栅极凹槽的四周、所述栅极凹槽的底部以及所述绝缘层之上，且所述接触层于所述栅极凹槽的底部与所述肖特基能障层相接触，所述第一扩散阻碍层形成于所述接触层之上，所述第二扩散阻碍层形成于所述第一扩散阻碍层之上，所述传导层形成于所述第二扩散阻碍层之上，藉此增强化合物半导体元件的可靠度。
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