[发明专利]具有电荷存储层的竖直存储器装置及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：堆叠件，其包括竖直地堆叠在衬底上的绝缘图案和介于绝缘图案之间的栅极图案；有源柱，其穿过堆叠件，并且电连接至衬底；以及电荷存储层，其介于堆叠件与有源柱之间。电荷存储层包括处于有源柱与各栅极图案之一之间的第一部分、处于有源柱与各绝缘图案之一之间的第二部分和将第一部分连接至第二部分并且厚度小于第一部分的厚度的第三部分。

主权项

一种半导体器件，包括：堆叠件，其包括竖直地堆叠在衬底上的各绝缘图案和介于各绝缘图案之间的栅极图案；有源柱，其穿过所述堆叠件，并且电连接至所述衬底；以及电荷存储层，其介于所述堆叠件与所述有源柱之间，所述电荷存储层包括处于所述有源柱与各栅极图案之一之间的第一部分、处于所述有源柱与各绝缘图案之一之间的第二部分和将第一部分连接至第二部分并且厚度小于第一部分的厚度的第三部分。