[发明专利]具有数据存储结构的半导体结构及其制造方法有效

申请号：	201610073187.7	申请日：	2016-02-02
公开（公告）号：	CN105895527B	公开（公告）日：	2020-01-10
发明（设计）人：	萧婉匀;金雅琴;林崇荣;陈皇魁;张宗生	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/768;H01L29/78;H01L29/06
代理公司：	11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人：	章社杲;李伟
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：	本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和在衬底上方形成的栅极结构。半导体结构还包括邻近栅极结构在衬底中形成的第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构。半导体结构还包括在衬底上方形成的层间介电层，层间介电层覆盖栅极结构、第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构。半导体结构还包括在第一源极/漏极结构上方的层间介电层中形成的第一导电结构。半导体结构还包括在第二源极/漏极结构上方的层间介电层中形成的第二导电结构。另外，第一导电结构与第一源极/漏极结构直接接触，以及第二导体结构与二源极/漏极结构不直接接触。本发明实施例涉及具有数据存储结构的半导体结构及其制造方法。
搜索关键词：	具有数据存储结构半导体及其制造方法
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【主权项】：

1.一种半导体结构，包括：/n衬底；/n栅极结构，形成在所述衬底上方；/n第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构，邻近所述栅极结构形成在所述衬底中；/n层间介电层，形成在所述衬底上方以覆盖所述栅极结构、所述第一源极/漏极结构和所述第二源极/漏极结构；/n第一导电结构，形成在位于所述第一源极/漏极结构上方的所述层间介电层中；以及/n第二导电结构，形成在位于所述第二源极/漏极结构上方的所述层间介电层中，/n其中，所述第一导电结构与所述第一源极/漏极结构直接接触，以及所述第二导电结构不与所述第二源极/漏极结构直接接触，所述层间介电层的部分和额外的介电层均在所述第二导电结构的底部和所述第二源极/漏极结构之间延伸，并且所述层间介电层和所述额外的介电层由不同的材料制成。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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