[发明专利]用于高压器件的低成本的掩膜还原方法及器件

摘要

本发明提出了一种半导体器件及其制备方法，该器件包括P‑型半导体衬底、在半导体衬底上方的N‑型阱、在N‑型阱中被一个或多个P‑型隔离结构隔开的P型区、以及在P‑型区下方被隔离结构隔开的N‑型穿通阻挡层。与N‑型阱相比，穿通阻挡层重掺杂。P‑型区在两个隔离结构之间的宽度等于或小于N‑型穿通阻挡层的宽度。半导体器件可以是双极晶体管、CMOS器件或DMOS器件。利用本发明的技术，任意器件组合可以集成在一个单独芯片上。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：一个第一导电类型的半导体衬底；一个第二导电类型的第一层，在第一导电类型的半导体衬底上方；一个或多个第一导电类型的隔离结构，在一部分第二导电类型的第一层中，其中配置一个或多个隔离结构，使形成在第二导电类型的第一层中的一个第一导电类型的区域隔离，其中一个或多个隔离结构向深处延伸，穿过第二导电类型的第一层，到达第一导电类型的半导体衬底；其中，第一导电类型的区域通过第一阱掩膜制备，并在制备后使第一阱掩膜的开口尺寸增大，以及一个第二导电类型的穿通阻挡层，利用开口尺寸增大了的同一个第一阱掩膜制备，在第一导电类型的区域下方，被第一导电类型的一个或多个隔离结构隔开；其中与第二导电类型的第一层相比，第二导电类型的穿通阻挡层重掺杂，其中第一导电类型的区域宽度等于或小于第二导电类型的穿通阻挡层宽度。