[发明专利]半导体装置测量方法在审
| 申请号： | 201610076200.4 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105842601A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 伊藤智章 | 申请（专利权）人： | 株式会社泰塞克 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 曹津燕;尹卓 |
| 地址： | 日本国东京都东大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置测量方法，在高温测量环境中可以有效测量多个半导体装置的电气特性。使用薄片预热设备(3)对粘附在环形框架(12)上的薄片(11)进行加热然后冷却。然后，测量设备(6)在高温测量环境中测量粘附在薄片(11)上的多个半导体装置(14)的电气特性。因为预先对薄片(11)进行了加热和冷却，因此薄片(11)膨胀而不会出现松弛。因此，即使在此后将薄片(11)放置在高温测量环境中时，也能避免薄片(11)因加热而膨胀。因此，粘附在薄片(11)上的多个半导体装置(14)的位置和角度保持不变。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 测量方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置测量方法，包括以下步骤：将薄片(11)粘附到环形框架(12)上的薄片粘附步骤(S1)，其中所述薄片被加热后在冷却时收缩；将集合体(13)粘附到所述薄片(11)的表面上的集合体粘附步骤(S3)，其中在所述集合体(13)中，多个半导体装置(14)形成矩阵；通过切割粘附在所述薄片(11)的所述表面上的所述集合体(13)分开所述多个半导体装置(14)的切割步骤(S4)；将粘附有所述多个分开的半导体装置(14)的所述薄片(11)放置在加热设备(50)的放置面(53a)上的放置步骤(S5)；通过所述加热装置(50)加热粘附在所述薄片(11)上的所述多个分开的半导体装置(14)的加热步骤(S6)；对所述多个分开的半导体装置(14)进行加热时测量所述多个分开的半导体装置(14)的电气特性的测量步骤(S7)；和在所述薄片粘附步骤(S1)之后、所述放置步骤(S5)之前，加热所述薄片(11)并然后冷却所述薄片(11)的预热步骤(S2)。
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