[发明专利]R‑T‑B系烧结磁铁有效
| 申请号： | 201610076212.7 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105845305B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 三轮将史;岩佐拓郎;中嶋春菜 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F1/08 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过将磁特性的降低抑制到最小限度并且抑制晶粒生长从而具有高磁特性的R‑T‑B系烧结磁铁。所述R‑T‑B系烧结磁铁其特征在于，该R‑T‑B系烧结磁铁包含R‑T‑B系化合物作为主相颗粒，所述R‑T‑B系烧结磁铁中所含的Zr的含量为0.3质量％～2.0质量％，所述主相颗粒含有Zr，所述R‑T‑B系烧结磁铁具有在所述主相颗粒的截面中，所述主相颗粒内的周缘部的Zr的质量浓度为所述主相颗粒内的中心部的Zr的质量浓度的70％以下的主相颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁铁 | ||
【主权项】：
一种R‑T‑B系烧结磁铁，其特征在于，所述R‑T‑B系烧结磁铁包含R‑T‑B系化合物作为主相颗粒，R表示稀土元素的至少1种，T表示Fe、或者表示Fe和包含Co的1种以上的铁族元素，所述R‑T‑B系烧结磁铁中所含的Zr的含量为0.3质量％～2.0质量％，所述主相颗粒含有Zr，所述R‑T‑B系烧结磁铁具有以下的主相颗粒，其中，所述主相颗粒具有有Zr质量浓度的分布的结构，在所述主相颗粒的截面中，所述主相颗粒内的周缘部的Zr的质量浓度为所述主相颗粒内的中心部的Zr的质量浓度的70％以下，相对于所述主相颗粒的总数，所述具有有Zr质量浓度的分布的结构的主相颗粒的比例为30％以上。
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