[发明专利]一种氧缺陷半导体二氧化氮气敏涂层的制备方法在审
| 申请号： | 201610076223.5 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105738424A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 张超;耿欣;王杰;尤佳骏;李大玉;肖金坤 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 南京中新达专利代理有限公司 32226 | 代理人： | 孙鸥;朱杰 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种氧缺陷半导体二氧化氮气敏涂层的制备方法。本发明是采用单晶硅片Si作为绝缘基体，在绝缘基体正面制备叉指型电极和接线端，无机盐粉末溶于去离子水或有机溶剂中，搅拌得到均匀溶液作为前驱体，通过非雾化喷嘴送入到由等离子喷枪产生的焰流，前驱体溶液经过蒸发、分解、成核、加热和加速，以熔融粒子撞击在叉指型电极正上方制备得到半导体气敏涂层。本发明克服了现有技术存在的各自缺陷。本发明可以制备纳米、多孔结构半导体气敏层，涂层超薄，涂层中的氧缺陷浓度可调，降低材料带隙，灵敏度高、响应速度较快、无须外加热源，结构简单、可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 半导体 二氧化氮 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧缺陷半导体二氧化氮气敏涂层的制备方法，其特征在于如下步骤：(1)采用氧化铝Al2O3或经过表面氧化处理的单晶硅片Si作为绝缘基体；(2)通过丝网印刷、溅射、蒸镀或喷涂方法在绝缘基体正面制备叉指型电极和接线端；(3)称取无机盐粉末溶于去离子水或有机溶剂中，利用搅拌装置搅拌得到均匀溶液作为前驱体；(4)将前驱体通过非雾化喷嘴送入到由等离子喷枪产生的焰流；(5)前驱体溶液经过蒸发、分解、成核、加热和加速，以熔融粒子撞击在叉指型电极正上方制备得到半导体气敏涂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州大学，未经扬州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610076223.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
