[发明专利]一种籽晶铺设方法、晶体硅及其制备方法有效
| 申请号： | 201610076381.0 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105568365B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 雷琦;胡动力;何亮 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫,熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种籽晶铺设方法，用于铸造晶体硅，包括以下步骤提供坩埚，在坩埚底部形成第一籽晶层；然后在第一籽晶层上铺设硅块，形成第二籽晶层，相邻两硅块之间留有宽度不小于1cm的缝隙，第一籽晶层和第二籽晶层构成籽晶层，籽晶层在垂直于坩埚底部的方向上没有贯通的缝隙。通过在第一籽晶层上设置第二籽晶层，在熔化阶段硅熔体不会熔到拼接缝处开始引晶，这样晶体硅不会受到拼接缝的影响；且第二籽晶层的硅料之间的缝隙宽度较大，在铸造类单晶过程中，硅熔体在该缝隙中凝固不会产生的较大的生长应力，也不会在缝隙中积聚分凝的杂质，因此可以减少位错的产生。制备得到的晶体硅位错较少，少子寿命较高，性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 籽晶 铺设 方法 晶体 及其 制备 | ||
【主权项】：
一种籽晶的铺设方法，用于铸造晶体硅，其特征在于，包括以下步骤：提供坩埚，在所述坩埚底部形成第一籽晶层；然后在所述第一籽晶层上铺设硅块，形成第二籽晶层，相邻两硅块之间留有宽度不小于1cm的缝隙，所述第一籽晶层和所述第二籽晶层构成籽晶层，所述籽晶层在垂直于所述坩埚底部的方向上没有贯通的缝隙。
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