[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

摘要

本发明提供一种能够提高氧化膜去除处理的生产率而提升生产性的基板处理方法和基板处理装置。在该基板处理方法中，将在表面形成有氧化硅膜(202)的晶圆(W)收纳在腔室(40)内并多次重复执行COR工序和PHT工序，在该COR工序中，向腔室(40)内供给氟化氢气体和氨气而使氧化硅膜(202)变质为反应生成物(AFS)，在该PHT工序中，停止向腔室(40)内供给氟化氢气体，并向腔室(40)内供给氮气，从而使在COR工序中生成的反应生成物升华而自晶圆(W)去除该反应生成物。

主权项

1.一种基板处理方法，其用于将形成于基板的表面的氧化膜去除，其特征在于，该基板处理方法包括以下工序：反应工序，在该反应工序中，通过向收纳在处理室的内部的所述基板供给含卤族元素气体和碱性气体，从而使所述氧化膜变质为反应生成物；以及升华工序，在该升华工序中，通过停止向所述处理室供给所述含卤族元素气体，并向所述处理室供给非活性气体，从而使所述反应生成物升华而自所述基板去除所述反应生成物，多次重复执行所述反应工序和所述升华工序，其中，在所述反应工序中，使所述含卤族元素气体的供给时间为2秒～5秒，所述反应工序是使所述处理室成为低于大气压的减压气氛而进行的，所述升华工序是使所述处理室成为相对于所述反应工序进一步减压后的减压气氛而进行的，在自所述反应工序向所述升华工序转变时，使对所述处理室进行减压的时刻比停止向所述处理室供给所述含卤族元素气体的时刻延迟1秒～3秒。