[发明专利]减少无定形碳硬掩模膜的碳-氢含量的方法有效
| 申请号： | 201610077441.0 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN106024596B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 法亚兹·谢赫;西丽斯·雷迪 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;C23C16/26 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及减少无定形碳硬掩模膜的碳‑氢含量的系统及方法。用于沉积无定形碳硬掩模膜的系统及方法包括：将衬底布置在处理室中；供给载气至所述处理室；供给烃前体至所述处理室；将来自由WF |
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| 搜索关键词： | 减少 无定形碳 硬掩模膜 含量 方法 | ||
【主权项】：
一种用于沉积无定形碳硬掩模膜的方法，其包括：将衬底布置在处理室中；供给载气至所述处理室；供给烃前体至所述处理室；将来自由WFa、NFb、SFc和F2组成的群组中的氟前体供给至所述处理室，其中a、b和c是大于零的整数；供给等离子体到所述处理室或使等离子体在所述处理室产生中的一者，其中来自所述氟前体的氟与来自所述烃前体的氢在气相反应中结合；以及在所述衬底上沉积无定形碳硬掩模膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
