[发明专利]掩膜组件及对准量测方法有效
| 申请号： | 201610078404.1 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN107037692B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 牛文玉;樊佩申;叶逸舟;彭欣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种掩膜组件及对准量测方法，对准量测方法包括：提供第一掩膜及晶圆，第一掩膜内形成有零标记图形及第一标记图形，第一标记图形位于零标记图形的附近；依据第一掩膜在晶圆上刻蚀零标记及第一标记；提供第二掩膜，第二掩膜对应于第一标记内部区域的位置形成有第二标记图形，且第二标记图形与第一标记的中心相重合；依据第二掩膜在第一标记内形成第二标记；量测第二标记相对于第一标记的位置偏移。本发明的对准量测方法可以很方便地对深N阱离子注入工艺及有源区刻蚀工艺进行对准量测；本发明中不同型号的产品可以使用相同的掩膜，相较于现有技术可以节省很多掩膜的数量，进而节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 组件 对准 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对准量测方法，其特征在于，所述对准量测方法至少包括以下步骤：提供第一掩膜及晶圆，所述第一掩膜内形成有零标记图形及第一标记图形，所述第一标记图形位于所述零标记图形的附近；依据所述第一掩膜在所述晶圆上刻蚀零标记及第一标记；提供第二掩膜，所述第二掩膜适于深N阱离子注入工艺，所述第二掩膜对应于所述第一标记内部区域的位置形成有第二标记图形，且所述第二标记图形与所述第一标记的中心相重合；在所述深N阱离子注入工艺过程中依据所述第二掩膜在所述第一标记内形成第二标记；量测所述第二标记相对于所述第一标记的位置偏移；提供第三掩膜，所述第三掩膜适于有源区刻蚀工艺，所述第三掩膜对应于所述第一标记内部区域的位置形成有第三标记图形，且所述第三标记图形与所述第一标记的中心相重合；在所述有源区刻蚀工艺过程中依据所述第三掩膜在所述第一标记内形成第三标记；量测所述第三标记相对于所述第一标记的位置偏移。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610078404.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
