[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201610079287.0 申请日: 2016-02-04
公开(公告)号: CN106558517B 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 高野智 申请(专利权)人: 株式会社国际电气
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/02;H01L21/677
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军;李文屿
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 目的在于提供一种即使在高温的衬底处理中也能维持高产能的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。包括:机械装置,其具有:支承衬底的末端执行器;第一连杆构造,其由前端固定有末端执行器的固定部、支承固定部的支承部和设于支承部的第一孔构成;设有第二孔的第二连杆构造;以及轴,通过插入于第一孔及第二孔而将第一连杆构造及第二连杆构造连接,轴的上端位于与载置在末端执行器的衬底的高度相同或比其低;真空搬送室,在内侧具有所述机械装置;组件,具有多个腔室,所述腔室与所述真空搬送室相邻,对通过机械装置从真空搬送室搬送的衬底进行加热处理;以及冷却机构,设于第一连杆构造或轴的上方,对第一连杆构造或轴进行冷却。
搜索关键词: 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种衬底处理装置,包括:机械装置,其具有:支承衬底的末端执行器;第一连杆构造,其由前端固定有所述末端执行器的固定部、支承所述固定部的支承部和设于所述支承部的第一孔构成;设有第二孔的第二连杆构造;以及轴,通过所述轴插入于所述第一孔及所述第二孔而将所述第一连杆构造及所述第二连杆构造连接,所述轴的上端位于与载置在所述末端执行器的衬底的高度相同或比其低;真空搬送室,在内侧具有所述机械装置;组件,具有多个腔室,所述腔室与所述真空搬送室相邻,对通过所述机械装置从所述真空搬送室搬送的所述衬底进行加热处理;以及冷却机构,设于所述第一连杆构造或所述轴的上方,对所述第一连杆构造或所述轴进行冷却,在对所述第一连杆构造或所述轴进行冷却的冷却模式,使所述末端执行器移动到待机位置,所述待机位置设定为比搬送所述衬底的搬送位置更接近所述冷却机构的位置。
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