[发明专利]Cu包覆Mg棒中心扩散法低温制备二硼化镁超导线材的方法有效

专利信息
申请号: 201610079382.0 申请日: 2016-02-04
公开(公告)号: CN105741977B 公开(公告)日: 2017-06-09
发明(设计)人: 马宗青;彭俊明;程芳;刘永长;蔡奇 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B12/02
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 代理人: 王丽
地址: 300072 天*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及Cu包覆Mg棒中心扩散法制备MgB2超导线材的方法,对Mg棒进行Cu膜包覆处理,然后对Cu膜包覆的Mg棒进行预热处理;随后将热处理后的Cu包覆Mg棒固定于金属管中心位置,Cu包覆的Mg棒与金属管之间的空隙用碳掺杂的非晶或晶体硼粉压实填充;将填充后的金属管经过多次冷拉拔成直径为0.80~1.40mm的线材;最后采用650℃以下温度,对线材进行加热处理,保温时间为5~20小时,炉冷至室温。本发明选用的Cu膜方便易得,操作方法简单易行,更重要的是Cu膜包覆技术可显著降低传统IMD线材的加热制备温度,在一定程度上降低了MgB2超导线材的制备成本。大大推动了MgB2的实用化进程。
搜索关键词: cu mg 中心 扩散 低温 制备 二硼化镁 超导 线材 方法
【主权项】:
一种Cu包覆Mg棒中心扩散法制备MgB2超导线材的方法,其特征是对Mg棒进行Cu膜包覆处理,然后对Cu膜包覆的Mg棒进行预热处理;随后将热处理后的Cu包覆Mg棒固定于金属管中心位置,Cu包覆的Mg棒与金属管之间的空隙用碳掺杂的非晶或晶体硼粉压实填充;将填充后的金属管经过多次冷拉拔成直径为0.80~1.40mm的线材;最后采用650℃以下温度,对线材进行加热处理,保温时间为5~20小时,炉冷至室温。
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